エルピーダメモリ

エルピーダメモリ株式会社
Elpida Memory, Inc.

種類	株式会社
市場情報	東証1部 6665 2004年11月15日 - 2012年3月28日 TWSE 916665 2011年2月25日上場
略称	エルピーダ
本社所在地	日本 〒104-0028 東京都中央区八重洲二丁目2番1号
設立	1999年（平成11年）12月20日 （NEC日立メモリ株式会社）
業種	電気機器
事業内容	DRAMの開発、設計、製造および販売
代表者	坂本幸雄（代表取締役社長兼CEO）
資本金	2,156億63百万円（2011年3月31日現在）
売上高	連結：5,143億16百万円 単独：5,019億50百万円 （2011年3月期）
営業利益	連結:357億88百万円 単独:△79億14百万円 （2011年3月期）
純利益	連結:20億96百万円 単独:△257億79百万円 （2011年3月期）
総資産	連結：8,789億70百万円 単独：7,216億54百万円 （2011年3月31日現在）
従業員数	連結：5,898名　単独：3,190名 （2011年3月31日現在）
決算期	3月31日
主要株主	優先株：株式会社日本政策投資銀行 300億円 普通株：みずほ信託退職給付信託日立製作所口 4.71% 日本マスタートラスト信託銀行（株）（信託口） 3.66% 日本トラスティ・サービス信託銀行（株）（信託口） 3.46% 日本電気（株） 2.85% （2011年9月30日現在）
主要子会社	秋田エルピーダメモリ（株） 100%
外部リンク	http://www.elpida.com/ja/

エルピーダメモリ株式会社（英訳名：Elpida Memory, Inc.）は、東京都中央区に本社を置くDRAMの開発・設計、製造、販売及び半導体製品のファンダリー受託を事業内容とする会社。日本における唯一のDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）専業メーカー。 日立製作所と日本電気のDRAM事業部門の統合により設立されたNEC日立メモリが前身。現在の日立製作所と日本電気の出資比率はそれぞれ9.87%と5.97%（2008年（平成20年）3月26日現在）。

DRAMのうち、価格変動が激しいパソコン用については、大半のDRAM製品の生産を、台湾の力晶半導体（Powerchip）社や中国の中芯国際（SMIC）社に委託している。

マイクロン・テクノロジーが約2000億円で買収し、今後の設備投資などを含めた支援総額は約3000億円となる見通し。DRAMのシェアは約25％となる。

沿革

• 1988年（昭和63年）9月　広島日本電気株式会社を設立。
• 1999年（平成11年）12月　NEC日立メモリ株式会社を設立。
• 2000年（平成12年）5月　NEC日立メモリ株式会社からエルピーダメモリ株式会社に商号を変更。
• 2003年（平成15年）
  • 3月　三菱電機よりDRAM事業を譲受け、開発エンジニアを受け入れ。
  • 8月　キングストンテクノロジーから約60億円の出資を受ける。
  • 9月　子会社・広島エルピーダメモリ株式会社を設立。
• 2004年（平成16年）
  • 9月　広島日本電気株式会社の全資産を、広島エルピーダメモリ株式会社が取得。
  • 11月　東京証券取引所市場第一部に株式を上場。
• 2005年（平成17年）8月　他3社との出資により、株式会社テラプローブを設立。
• 2006年（平成18年）
  • 1月　米スパンションと提携し、スパンションのマルチチップパッケージ用としてDRAMを供給。
  • 7月　秋田エルピーダメモリ株式会社を設立。
• 2007年（平成19年）1月　Powerchip社と台湾におけるDRAM生産合弁会社設立に正式合意。
• 2008年（平成20年）
  • 4月1日　広島エルピーダメモリ株式会社を吸収合併。
  • 4月24日　ドイツのDRAM大手キマンダと技術・生産で提携することを正式発表。
• 2009年（平成21年）
  • 4月1日　台湾当局の支援で新たに設立される台湾メモリー（TMC）との提携優先権を獲得。将来的には台湾当局の公的資金支援を受ける見込み。
  • 8月6日　キマンダからGDDR3、GDDR5に関する技術及び開発チームを譲渡されたことを発表。ミュンヘンにデザインセンターを新規開設し、2010年（平成22年）上期に台湾、下期に広島工場にてGDDR DRAMの量産を開始した[1]。
• 2010年（平成22年）3月　経営再建中の米スパンションからフラッシュメモリの技術とイタリアにある研究開発拠点の譲渡を受ける。フラッシュメモリとDRAMによる複合型メモリの開発を目指す。
• 2011年（平成23年）
  • 1月　台湾Powerchip Technologies社の生産分を全て購入する契約を結んだことを発表した。
  • 2月　台湾証券取引所に上場
  • 5月　半導体回路の幅が世界最小の25ナノメートルのDRAMを開発。
• 2012年（平成24年）
  • 2月27日　自力再建を断念し、東京地方裁判所に会社更生法適用を申請した。
  • 3月28日　上場廃止。
• 2013年（平成25年）2月28日　更生計画認可決定

シェア推移

1999年（平成11年）6月の日立製作所と日本電気による合弁会社設立発表当時、DRAM世界市場でのシェアは日本電気が約11%、日立製作所が約6%であった。その後業績低迷が続き、現社長が就任した2002年（平成14年）には4%代まで落ち込むことになる。東証一部に上場した2004年（平成16年）には6%まで上昇し、2006年（平成18年）は10.2%と合併以前の日本電気の水準まで持ち直してきている。

2008年（平成20年）になると、韓国・サムスン電子、ハイニックス半導体に次ぐ14.2%（ガートナー調べ）のシェアを占めている。

2009年（平成21年）の第3四半期はサムスン電子（35.6%）、ハイニックス半導体（21.6%）に次ぐ16.8%のシェアであったが、第4四半期には、サムスン電子（31.7%）、ハイニックス半導体（21.6%）に次ぐ19.4%とシェアを上げた。

問題

反トラスト法違反問題

2006年（平成18年）1月、エルピーダは米司法省から訴えられていた反トラスト法違反について、和解が成立したことを発表した。この訴訟は、1999年（平成11年）4月から2002年（平成14年）6月にかけて主要DRAMメーカが国際的な価格カルテルを結び、不正に市場価格を操作し、顧客である米コンピュータメーカーに損害を与えた行為に対するもので、サムスン（韓）、インフィニオン（独）、ハイニクス（韓）、エルピーダの4社と関与したとされる17人が対象となった。DRAM主要メーカのうちマイクロン（米）は、司法取引に応じ、反トラスト法違反への調査に協力する代わりに訴訟の対象からは免れている。

4社は合計7億3100万ドルの罰金を支払うことでそれぞれ司法省と和解した。エルピーダの和解金額は8,400万ドルであるが、自社販売を開始する以前の前身2社（日立製作所と日本電気）による販売分を含めたものであり、エルピーダ単体での負担は950万ドルである。三菱電機も司法省による調査対象であるが、三菱電機からエルピーダへのDRAM事業の譲渡は2003年（平成15年）3月であり、エルピーダへの影響はない。また、エルピーダの元副社長1名が本件への関与を認め、25万ドルの罰金と7ヶ月の禁固刑を科せられた。この和解金額は2005年（平成17年）3月期に米司法省や欧州委員会、カナダ司法当局による反トラスト法調査関連の損失を想定し計上された引当金19億円の範囲内であった。2005年（平成17年）3月期の業績は、この引当金計上のため減額修正せざるを得なくなり、赤字に転落した。

司法省による刑事訴訟とは別に、メモリチップを購入していた各社から反トラスト法違反による損害賠償請求の民事集団訴訟を受けた。訴訟の対象となっていた8社のうち、サムスン、インフィニオン、ハイニクスの3社は2006年（平成18年）5月に合計1億6000万ドルを支払うことで和解しており、エルピーダも2009年（平成21年）2月に和解が成立した。

価格カルテルの背景には、2000年（平成12年）から2001年（平成13年）にかけてのパソコンの売上不振に伴う大幅なDRAM価格下落がある。特に2000年（平成12年）10月から2001年（平成13年）3月の間で価格が75%下落し、販売価格が生産コストを下回る事態になった。その後2002年（平成14年）に入った辺りで、低迷していた価格が底をうち上昇していくことになる。米公正取引委員会が公表した2001年（平成13年）11月のマイクロン社のメールには、マイクロンがDDR SDRAMの価格を引き上げれば全サプライヤが同調する旨が記されている。

経営破綻

改正産業再生法

2009年（平成21年）2月4日に、日本政府が新たに作成中の改正産業再生法の適用申請を検討中と報じられた。

2009年（平成21年）6月30日、経済産業省より「産業活力の再生及び産業活動の革新に関する特別処置法」(改正産業再生法)の適用が発表され、一般企業に公的資金を注入する1号案件となった(株式会社日本政策投資銀行への第三者割当)。

会社更生法適用

DRAM価格低迷による、数四半期続く赤字から脱しきず、2012年2月27日に会社更生法を申請した。負債額は4,480億3,300万円とされた。同日、子会社の秋田エルピーダメモリ株式会社も会社更生法を申請した。

マイクロンによる買収予定

米マイクロン・テクノロジは、エルピーダメモリ株式会社、および秋田エルピーダメモリ株式会社の取得および支援を目的に、両社とスポンサー契約を締結した。2012年7月、マイクロン・テクノロジは契約時に現金600億円を支払いをし、エルピーダメモリの全株式を取得すると発表された。この合意については12月に公正取引委員会の独占禁止法に関する審査が終了している。また2019年までを目処に、ファンドリーとしての生産契約により1400億円程度を支払うとしている。

関係会社

• 秋田エルピーダメモリ - 100%出資の後工程生産子会社。2006年（平成18年）設立。実質上の前身は、アキタ電子システムズの子会社であったアキタセミコンダクタ。
• テラプローブ - エルピーダメモリ、アドバンテスト、KTC Japan、台湾PTI社の出資により設立されたウェハテスティング会社。連結子会社。2005年（平成17年）設立。2010年（平成22年）、東証マザーズ上場。
• 瑞晶電子（Rexchip社、台湾） - 台湾の力晶半導体とのDRAM生産合弁会社。連結子会社。
• 力晶半導体（Powerchip社、台湾） - 生産委託先会社。
• 中芯国際（SMIC社、中国） - 生産委託先会社。広島エルピーダメモリの200mmウェハライン装置を、SMIC傘下のCension社（中国）へ譲渡することで基本合意。
• ルネサス エレクトロニクス （NEC・日立と三菱電機の半導体事業を統合した企業）

外部リンク

• エルピーダメモリ株式会社
• 力晶半導体、力晶科技股份有限公司