ジョレス・アルフョーロフ

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ジョレス・アルフョーロフ
Zhores Alferov
人物情報
生誕 Zhores Ivanovich Alferov
1930年3月15日(86歳)
ベラルーシの旗 ベラルーシ ヴィーツェプスク
国籍 ロシアの旗 ロシア
学問
研究分野 応用物理学
主な業績 ヘテロ接合
主な受賞歴 ノーベル物理学賞(2000年)
プロジェクト:人物伝
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ノーベル賞受賞者ノーベル賞
受賞年:2000年
受賞部門:ノーベル物理学賞
受賞理由:高速エレクトロニクスおよび光エレクトロニクスに利用される半導体ヘテロ構造の開発

ジョレス・イヴァノヴィチ・アルフョーロフ[1]ロシア語:Жоре́с Ива́нович Алфёровジァリェース・イヴァーノヴィチ・アルフョーラフラテン文字転写の例:Zhores Ivanovich Alferov1930年3月15日 – )は、ヘテロ接合の物理学に多大な貢献を残したロシア人物理学者である。

概要[ソースを編集]

白ロシア・ソビエト社会主義共和国ベラルーシ)のヴィーツェプスクで、ロシア人とユダヤ人の家系を引く家庭に生まれた。1952年、彼はレニングラードのレーニン電子技術研究所を卒業した。1953年からはソ連科学アカデミーヨッフェ物理学技術研究所で職に就き、この研究所でいくつかの学位を得た。1961年には工学の学位の候補者となり、1970年には物理学と数学の博士号を取得した。1987年まで、この研究所の監督を務めた。1972年にソ連科学アカデミーの補助会員に選ばれ、1979年に正会員に選ばれた。1989年からロシア科学アカデミーの副会長とサンクトペテルブルク科学センターのセンター長を務めている。1995年からはロシア連邦共産党に所属してロシア連邦議会上院連邦会議代議員に選出された。2000年に高速エレクトロニクスおよび光エレクトロニクスに利用される半導体ヘテロ構造の開発の功績により、ハーバート・クレーマーとともにノーベル物理学賞を授与された。

研究領域[ソースを編集]

1962年より、ヘテロ接合半導体の研究に携わっている。彼はインジェクションの形状を考案したり、レーザー太陽電池LEDを改良したり、エピタキシャル成長の研究を行うなどの業績を残した。

受賞歴[ソースを編集]

アルフョーロフ(左)とウラジーミル・プーチンロシア大統領(2000年)

その他

脚注[ソースを編集]

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  1. ^ 日本語ではしばしばアルフェロフと書かれる。