ヘテロ接合 (半導体)

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ヘテロ接合英語:heterojunction)とは異なる半導体接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。

応用[編集]

バンドギャップの違いを利用したもの[編集]

半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合することになる(このバンドの接合についてはアンダーソンの法則を参照)。この2つの半導体のエネルギーバンドの差を利用した研究(量子井戸超格子など)が盛んに行われている。応用例としては、半導体レーザーHEMTHBTなどがある。

結晶成長の応用(ヘテロエピタキシャル)[編集]

結晶成長技術の1つにエピタキシャル成長がある。これは、基板の上に結晶成長を行う方法である。成長させる結晶と同一の結晶の基板を作製することが困難な場合、成長させる結晶とは異なる基板が用いられる。

関連項目[編集]