テスラ (単位)
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(ウェーバ毎平方メートルから転送)
テスラ tesla | |
---|---|
記号 | T |
系 | 国際単位系 (SI) |
種類 | 組立単位 |
量 | 磁束密度 |
組立 | Wb/m2 |
定義 | 磁束の方向に垂直な面の1 m2につき1 Wbの磁束密度 |
語源 | ニコラ・テスラ |
テスラ(英: tesla、記号: T)は、磁束密度の単位である。
その名称はニコラ・テスラにちなむ。1960年の国際単位系 (SI) 導入の際、それまでのCGS単位系に基づくガウスをSIに基づくものに置き換えるために定められた。1万ガウスと等価。
定義
[編集]1テスラは、「磁束の方向に垂直な面の1平方メートルにつき1ウェーバの磁束密度」(計量単位令による)と定義される[1]。すなわちウェーバ毎平方メートル(Wb/m2)に等しい。他の単位では以下のように表現できる。
T = Wb·m−2 = V·s·m−2 = N·A−1·m−1 = kg·C−1·s−1 = kg·A−1·s−2[2]
換算
[編集]CGS単位系のガウス(G)はマクスウェル毎平方センチメートル(Mx/cm2)と定義され、1 m2 = 104 cm2、1 Wb ≒ 108 Mxであるので、1 T の磁束密度はガウス単位系では約 104 G に相当する。
- 1T = 10000 G
- 1 G = 10−4 T = 100 μT (microtesla)
厳密には、B = 1 T である磁束密度があるとき、ガウス単位系におけるこの磁束密度をBemuとすると、
で換算される。 ルートの部分はほぼ1であるが10−10程小さい。
地磁気に用いられるガンマ(γ)は、10−9 T = 1 nTに等しい。
分量 | 倍量 | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
値 | 記号 | 名称 | 値 | 記号 | 名称 | |
10−1 T | dT | デシテスラ | 101 T | daT | デカテスラ | |
10−2 T | cT | センチテスラ | 102 T | hT | ヘクトテスラ | |
10−3 T | mT | ミリテスラ | 103 T | kT | キロテスラ | |
10−6 T | µT | マイクロテスラ | 106 T | MT | メガテスラ | |
10−9 T | nT | ナノテスラ | 109 T | GT | ギガテスラ | |
10−12 T | pT | ピコテスラ | 1012 T | TT | テラテスラ | |
10−15 T | fT | フェムトテスラ | 1015 T | PT | ペタテスラ | |
10−18 T | aT | アトテスラ | 1018 T | ET | エクサテスラ | |
10−21 T | zT | ゼプトテスラ | 1021 T | ZT | ゼタテスラ | |
10−24 T | yT | ヨクトテスラ | 1024 T | YT | ヨタテスラ | |
10−27 T | rT | ロントテスラ | 1027 T | RT | ロナテスラ | |
10−30 T | qT | クエクトテスラ | 1030 T | QT | クエタテスラ | |
よく使われる単位を太字で示す |
脚注
[編集]- ^ “計量単位令(平成四年政令第三百五十七号)別表第一”. e-Gov (2017年4月1日). 2019年12月21日閲覧。 “2017年4月1日時点での施行分”
- ^ 国際文書 国際単位系 (SI) 第 8 版日本語版 (2006) (PDF) p. 29。
名称 | 記号 | 次元 | 組立 | 物理量 |
---|---|---|---|---|
アンペア(SI基本単位) | A | I | A | 電流 |
クーロン | C | T I | A·s | 電荷(電気量) |
ボルト | V | L2 T−3 M I−1 | J/C = kg·m2·s−3·A−1 | 電圧・電位 |
オーム | Ω | L2 T−3 M I−2 | V/A = kg·m2·s−3·A−2 | 電気抵抗・インピーダンス・リアクタンス |
オーム・メートル | Ω·m | L3 T−3 M I−2 | kg·m3·s−3·A−2 | 電気抵抗率 |
ワット | W | L2 T−3 M | V·A = kg·m2·s−3 | 電力・放射束 |
ファラド | F | L−2 T4 M−1 I2 | C/V = kg−1·m−2·A2·s4 | 静電容量 |
ファラド毎メートル | F/m | L−3 T4 I2 M−1 | kg−1·m−3·A2·s4 | 誘電率 |
毎ファラド(ダラフ) | F−1 | L2 T−4 M I−2 | V/C = kg1·m2·A−2·s−4 | エラスタンス |
ボルト毎メートル | V/m | L T−3 M I−1 | kg·m·s−3·A−1 | 電場(電界)の強さ |
クーロン毎平方メートル | C/m2 | L−2 T I | C/m2= m−2·A·s | 電束密度 |
ジーメンス | S | L−2 T3 M−1 I2 | Ω−1 = kg−1·m−2·s3·A2 | コンダクタンス・アドミタンス・サセプタンス |
ジーメンス毎メートル | S/m | L−3 T3 M−1 I2 | kg−1·m−3·s3·A2 | 電気伝導率(電気伝導度・導電率) |
ウェーバ | Wb | L2 T−2 M I−1 | V·s = J/A = kg·m2·s−2·A−1 | 磁束 |
テスラ | T | T−2 M I−1 | Wb/m2 = kg·s−2·A−1 | 磁束密度 |
アンペア回数 | A | I | A | 起磁力 |
アンペア毎メートル | A/m | L−1 I | m−1·A | 磁場(磁界)の強さ |
アンペア毎ウェーバ | A/Wb | L−2 T2 M−1 I2 | kg−1·m−2·s2·A2 | 磁気抵抗(リラクタンス、英: reluctance) |
ヘンリー | H | L2 T−2 M I−2 | Wb/A = V·s/A = kg·m2·s−2·A−2 | インダクタンス・パーミアンス |
ヘンリー毎メートル | H/m | L T−2 M I−2 | kg·m·s−2·A−2 | 透磁率 |