eDRAM
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』
eDRAM(Embedded DRAM)、混載DRAMは、メインのASICやプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。
概要[編集]
外部DRAMモジュールや、主にキャッシュとして使われるトランジスタベースのSRAMと対比される。 DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。
「eDRAM」を搭載しているプロセッサ[編集]
「eDRAM」を搭載している機器[編集]
- ゲーム機 （家庭用ゲーム機）
- パーソナルコンピュータ
など。
脚注[編集]
出典[編集]
関連項目[編集]
外部リンク[編集]
- 日本アイ・ビー・エム株式会社 - ホームページ （日本語）
- インテル株式会社 - ホームページ （日本語）
|
||||||||||||
|
||||||||||||
