MOSダイオード

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MOSダイオードは、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor、金属-酸化物-半導体)素子によるダイオードである。エンハンスメントモードのNチャネルMOSFETのドレインとゲートを短絡した「ダイオード接続MOS」のことを指す場合と、単純なMOS素子のモデルとして、シリコンウェファの表面を酸化絶縁膜とし、その上に金属電極を付けた構造のことを指す場合とがある。MOSの詳細についてはMOSFETの記事を参照のこと。

ダイオード接続MOS[編集]

ダイオード接続MOS

ダイオード接続MOSは、ノーマリーオフ(エンハンスメントモード)のNチャネルMOSFETのドレインとゲートを短絡したもので、一般のダイオードに似た単方向性のある2極素子として扱うことができるが、原理上動作電位の制限などがある[1]。Vfが、PN接合ダイオードでは約0.6V・ショットキーバリアダイオードはもっと低いが、ダイオード接続MOSでは使用するFETの VGS(th) によって決まる。

MOS集積回路 (IC) 中ではこの他に、バルクと電極の間のいわゆる寄生ダイオードをPN接合ダイオードとして利用することもある。また、似たようなFETの使い方として、ノーマリーオン(depletionモード)のNチャネル接合型FET (JFET) のソースとゲートを短絡し、IDSSを利用するいわゆる定電流ダイオードがある。

MOS素子モデル[編集]

MOS素子モデル

単純なMOS素子のモデルで、P型かN型としたシリコンウェファの表面を酸化絶縁膜とし、その上に金属電極を付けたものである。電気回路要素的にはキャパシタになる。

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  1. ^ 両極の動作電位が(正の)電源の前後であれば、Pチャネルを使うようにアレンジするなど。