Template‐ノート:半導体

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電界型半導体の出典、または、英語名[編集]

電界型半導体の出典、または、英語名は何でしょうか?--赤貧敬服 2007年11月25日 (日) 14:53 (UTC)

気がつきませんでした。確かに聞いたことがありません。一応Yahoo/Googleで検索しましたが、"電界型半導体"では有効な結果が出ませんでした。また、英語版記事のen:Category:Semiconductorsでも該当しそうなものがありませんでした。-- Daisydaisy 2007年11月26日 (月) 11:55 (UTC)
リンク先の記事が存在せず、またそのようなものの存在を示す出典もみつかっていないようならば、このテンプレート上に残しておく意味がないと思います。いっそのこと消してしまえばいいのではないかと思うのですがいかがでしょう。--朝彦 2007年12月4日 (火) 10:11 (UTC)

幾つかの点で分かりにくいのではないかと思いました。

  1. 「電界型半導体」は一般的に使用されている用語ではないのではないでしょうか。これは、幾つかの方法でも検索できない事から、検証できると思います。
  2. 何らかの概念での分類をしようとしている、という可能性は如何でしょうか。例えば、「電界型半導体」という言う言葉から推測して、比較的緩い電界(電場=electric field)と強い電界の場合のドリフト速度(drift velocity)や移動度(mobility)にみられるキャリア(電子)の振る舞いの違いに注目して、この視点で分類を試みようとした可能性は如何でしょうか。これが一般的な分類の手法なのかどうか、の検証も必要かと思われます。また、左右にある項目と比べると、範疇が違う様にも思えます。
  3. 「high field semiconductor device(s) 」と言う表現があり、ガンダイオード(Gunn diode)やアバランシェフォトダイオード(avalanche photodiode)やツェナーダイオード(Zener diode)やその他の素子が含まれるようです。あまり事例の多い表現でもないようです。これを「電界型半導体」と訳した可能性は如何でしょうか。ただし、半導体素子、とすべきだと思いますが。この場合も、分類方法や項目名としての適切さの検証は必要ではないかと思われます。

「電界型半導体」に限っては、出典の説明が無ければ、とりあえず削除してはどうでしょうか。分かりにくく、また、削除する影響も僅少ではないかと思われます。何らかの概念を再度掲載するのであれば、一般的にも使用されている言葉を項目名として使用するのがよいと思います。--赤貧敬服 2007年12月8日 (土) 16:09 (UTC)

手元のいくつかの文献でも該当する表現はなく「1」でご指摘のように一般的な表現ではないと考えます。作成した方はこの項目のリンクを作ったからには何らかの概念での分類を試みようとしているのは事実で、「2」「3」に書かれているような可能性もあります。作成者に聞くのが早いと思い初版の作成者の海人さんのノートページにお願いを記載してきました。削除(or修正)はそれの確認後でも良いかもしれません。-- Daisydaisy 2007年12月8日 (土) 21:39 (UTC)

このテンプレートを作成したものです。 まず、テンプレートを作成するにあたり、掲載する項目については、すでに半導体関連の記事で関連項目にあるものを中心にリストアップしました。また、英語版などの記事も参考にしました。 ただ、まことに申し訳ないのですが、「電界型半導体」の件に関しましては、どのような経緯でリストアップしたか覚えておりません。 しかしながら、結論として、テンプレートを作成した責任もあり、当該項目を削除することにしました。 皆様にはご迷惑をおかけしましたことをお詫び申し上げます。--海人 2008年2月26日 (火) 02:59 (UTC)

項目の追加削除の提案[編集]

このテンプレートについて、以下のような追加削除の編集をしようと思います。

削除
バンド理論::電子 - 自由電子に置き換え、隣の正孔とのバランス。
その他::MOS接合 - MOSFETをトランジスタ::に設け代える。そもそもMOSには接合はないです。
追加
バンド理論::自由電子 - 上述
トランジスタ::MOSFET - 上述
トランジスタ::HEMT - 高電子移動度トランジスタ
その他::ヘテロ接合

このほか、UJTやIGBTのような比較的マイナーなトランジスタを列挙すべきかも悩ましいところです。皆様のご意見をお聞かせください。--Ef3 2009年10月23日 (金) 22:21 (UTC)