ショットキー接合

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ショットキー接合(ショットキーせつごう、: Schottky barrier junction)は、金属半導体の間で整流作用を示す接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。

同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。

PN接合に対してMS接合[1]と呼ぶこともある。

概要[編集]

  • 半導体金属を接合させたとき、半導体部分に、金属の仕事関数と半導体の持つ電子親和力フェルミエネルギー)の差が、障壁として現れる場合がある。これをショットキー障壁と呼ぶ。
  • 障壁の大きさは金属の種類によって異なり、また、半導体の種類や不純物の型、濃度によっても異なる。材料の種類や格子の状態により、ショットキー障壁ではなく、単なる通常の金属的な抵抗を持つ導通状態(オーミック接合オームの法則的、の意)となる場合もある。
  • ショットキー障壁が現れている場合、半導体部分における電位は、金属との接合部から離れるに従い次第に減少し、ある点で熱平衡状態の電位と等しくなる。金属との接合部からこの点までの間が空乏層となり、また、その電位差が順電圧となる。

ショットキー接合を利用した素子[編集]

脚注[編集]

  1. ^ : metal - semiconductor junction