林厳雄

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林 厳雄
生誕 (1922-05-01) 1922年5月1日
日本の旗 日本東京府
死没 2005年9月26日
研究分野 半導体工学
研究機関 東京大学原子核研究所
ベル研究所
日本電気中央研究所
出身校 東京大学
主な業績 半導体レーザー
主な受賞歴 IEEEフェロー(1976年)
京都賞先端技術部門(2001年)
プロジェクト:人物伝
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林 厳雄(はやし いづお、1922年5月1日 - 2005年9月26日)は日本の物理学者東京府生まれ。半導体レーザーの実現に功績があった。

経歴[編集]

東京大学理学部物理学科卒業。東京大学原子核研究所助教授を経て1963年渡米、マサチューセッツ工科大学に滞在後、1964年から1971年までベル研究所研究員で勤務して1970年には室温での半導体レーザーの連続発振に成功した。1971年に帰国、日本電気中央研究所などで研究した。1976年IEEEフェロー選出。2001年にはベル研究所時代の同僚であるモートン・パニッシュとソビエトでレーザーの連続発振に成功したジョレス・アルフョーロフと共に京都賞先端技術部門を受賞した。

京都賞の賞金をもとに応用物理学会光・電子集積技術業績賞(林厳雄賞)が設けられた。

受賞歴[編集]

論文[編集]

  • Hayashi, I., M. Panish, and P. Foy. "A low-threshold room-temperature injection laser." IEEE Journal of Quantum Electronics 5.4 (1969): 211-212.
  • Hayashi, I., et al. "Junction lasers which operate continuously at room temperature." Applied Physics Letters 17.3 (1970): 109-111.
  • Panish, M. B., I. Hayashi, and S. Sumski. "DOUBLE‐HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS WITH ROOM‐TEMPERATURE THRESHOLDS AS LOW AS 2300 A/cm2." Applied Physics Letters 16.8 (1970): 326-327.
  • Panish, M. B., S. Sumski, and I. Hayashi. "Preparation of multilayer LPE heterostructures with crystalline solid solutions of Al x Ga 1− x As: Heterostructure lasers." Metallurgical Transactions 2.3 (1971): 795-801.
  • Hayashi, I., M. B. Panish, and F. K. Reinhart. "GaAs–Al x Ga1− x As Double Heterostructure Injection Lasers." Journal of Applied Physics 42.5 (1971): 1929-1941.

特許[編集]