収束電子回折
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収束電子回折（しゅうそくでんしかいせつ、英: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED）とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。
平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 （Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED） とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。
CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性（点群、空間群）の決定、格子欠陥の同定ができる。
参考文献[編集]
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- 田中通義、寺内正己、津田健治『やさしい電子回折と初等結晶学―電子回折図形の指数付け，収束電子回折の使い方―』（改訂新版）共立出版、2014年12月23日、78頁。ASIN 4320034716。ISBN 978-4-320-03471-6。 NCID BB17620995。OCLC 902684875。全国書誌番号:22516087。
関連項目[編集]
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