青木昌治

青木昌治
青木昌治
生誕	1922年3月6日; 東京
死没	1991年9月29日（69歳没）
国籍	日本
研究分野	電子工学
研究機関	東京大学工学部、東京理科大学
出身校	東北大学理学部
主な業績	半導体の研究
主な受賞歴	丹羽高柳賞（業績部門）; 丹羽高柳賞（功績部門）; 東京都発明研究功労者賞; 勲三等瑞宝章
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青木昌治（あおきまさはる、1922年 3月6日 - 1991年 9月29日^[1]）は、日本の電子工学者。

経歴[編集]

東京出身^[1]。東北帝国大学理学部物理学科卒業^[1]。1960年7月より東京大学工学部電子工学科助教授、1963年6月より教授を務め、1982年に定年退官。その後、東京理科大学工学部電子工学科の教授を務めた^[1]。第12期日本学術会議会員^[1]。

1940年代末以降、熱電変換素子の研究で顕著な業績を挙げた。東京大学工学部電子工学科では化合物半導体の発光ダイオードの材料の研究を進めた^[2]。

1991年9月29日、甲状腺癌のため死去^[1]。

青木昌治「セレン整流體の接觸電位差について」『応用物理』第18巻第10号、応用物理学会、1950年、352-353頁、doi:10.11470/oubutsu1932.18.352、ISSN 0369-8009、NAID 130003586311。
青木昌治「熱電冷却展望」『応用物理』第26巻第6号、応用物理学会、1957年、215-228頁、doi:10.11470/oubutsu1932.26.215、ISSN 0369-8009、NAID 130003587103。
青木昌治「太陽エネルギーの利用」『日本物理学会誌』第14巻第1号、日本物理学会、1959年、2-10頁、doi:10.11316/butsuri1946.14.2、ISSN 0029-0181、NAID 110002066550。
青木昌治「半導体の熱電現象とその応用」『東京大学工学部電気工学・電子工学彙報』第10号、東京大学工学部電気工学科、1962年3月、ISSN 05637929、NAID 40018128099。
青木昌治, 菅義夫「テルル化蒼鉛による熱電冷却:その5: 熱電物質」『応用物理』第29巻第6号、応用物理学会、1960年、363-370頁、doi:10.11470/oubutsu1932.29.363、ISSN 0369-8009、NAID 130003587452。
青木昌治「熱電発電の原理と応用」『日本機械学会誌』第68巻第557号、日本機械学会、1965年、805-811頁、doi:10.1299/jsmemag.68.557_805、ISSN 00214728、NAID 110002464034。