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transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETが…

FET）は、半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタである。 微細かつ平面的なものを大量に製造する技術が確立されており、集積回路に搭載されている半導体素子としては最も一般的である。一般的なスマートフォンやパーソナルコンピュータに搭載されているCPUには、1億個以上のFETが組み込まれている。…

FETバイオセンサ (FETbiosensorまたはBio-FET) は、高感度化に加え小型化や集積化にも利点を有する電界効果トランジスタ(FET)を応用したバイオセンサーで、ゲート絶縁膜上に固定されたプローブ分子との特異的な相互作用に基づいて吸着した検出対象物質の電荷を電気信号へ変換する。…

FETではゲート電流が非常に小さい事からコンデンサに充電した電荷で駆動できる（ブートストラップ回路）。但しコンデンサが不良になるとゲート信号が出力できなくなる欠点があるため、以下に示すIPM駆動の小型インバータで採用されている程度である。 Nチャネル縦型MOS-FETのドレイン側にP…

バイポーラトランジスタ ショットキートランジスタ FET 集積回路 - 増幅回路 - 論理回路 汎用ロジックIC TTL - バイポーラトランジスタを利用した論理回路の構成方式。最初に普及したロジックICで、 他の回路構成のロジックICでもその型番を踏襲したものが多い。 CMOS - P…

FinFET（Fin Field-Effect Transistor）とは、ゲートがチャネルの2面、3面、4面またはチャネルを包むように位置しダブルゲート構造を形成している基板上に作られたMOSFETである。FinFETと呼ばれる理由は、ソース/ドレイン領域がシリコン表面でフィンを形成するためであ…

FETの全般を示すのに用いられている。 全周ゲートFET（GAA FET）は、チャンネル部分の全側面をゲート材で囲む点を除けば、FinFET と同じようなコンセプトである。GAA FET は、設計によって、2つまたは3つの有効なゲートを持つことになる。GAA FET…

FETでありVss側（図中下側）がNMOS-FETである。 AがVssと同じ電位を持つとき、上のFETがオンになり、下のFETがオフになる。このため、出力Qの電位はVddとほぼ等しくなる。また、AがVddと同じ電位を持つとき、上のFETがオフになり、下のFET…

FETにおいてオン抵抗100mΩ以下という素子も開発された。またこの高耐圧SiC-MOS-FETを応用した高耐圧かつ低飽和電圧特性のIGBTも開発されている。 図のPとNを反転し、P+基板上にPエピタキシャル層を形成し、表面側にNボディと高濃度P層を形成したP…

Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。…

、電池などにおいて、その対象物を働かせる、あるいは電気信号を測定するなどの目的で、電気的に接続する部分のことである。 また、トランジスタのベース、FETのゲートなど、ある電極から別の電極への電荷の移動を制御するための電極もある。 電気化学（電気分解）やダイオード（真空管（二極管）、半導体素子）では…

『FET BEST』（フェット・ベスト）は、RIZEの2枚目のベスト・アルバム。2013年6月26日にFar Eastern Tribe Records（ユニバーサルミュージック）より発売された。 Far Eastern Tribe Records時代（2006年から2013年）の楽曲を収録したベ…

Access Memory)とは、FeRAMの一種で、セルとして強誘電体をゲート絶縁膜にしたFETを用いており、FFRAMとも呼ばれる。 メモリセル構成としては、ゲート絶縁膜が強誘電体から成るMFS-FET又はMFMIS-FETから成る1T型(トランジスター型)である。…

一方トヨタは、スープラが撤退しクラス3のカローラのみの参戦に。シエラ勢は開幕戦では2台参加したが、第2戦以降はFETのみのエントリーという状態となり、最終戦INTER-TECでついにFETもGT-Rへと鞍替えしたため国内からの参加はなくなり、INTER-TECへ来日した海外勢のシエラ1台を除き、ク…

C』第68巻第6号、1985年、475-481頁。  芳賀洋一「医療用マイクロ化学センサ (ヘッドライン: 医療現場を支える化学)」『化学と教育』第61巻第11号、2013年、526-529頁、doi:10.20665/kakyoshi.61.11_526。  バイオセンサー FETセンサ FETバイオセンサ 表示 編集…

薄膜トランジスタ（はくまくトランジスタ、thin film transistor、TFT）は、電界効果トランジスタ（field effect transistor、以下FET）の1種である。基本的に三端子素子（バックゲート端子 (B) が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム…

研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。…

MΩ）ことから、半絶縁性基板と呼ばれる。 高い抵抗率によって基板へのリーク電流や寄生容量を抑えることができ、現在のSOI技術によるFETと同様の性質を持つ。 このような性質から、応答が速く消費電力の少ない半導体素子の製造に適した材料となっている。一方で、絶縁性の元となっているミッド…

雑音特性が悪い物が多い。ただし新しい製品では改善が顕著である。 さらに、それぞれ差動入力部のトランジスタの極性がNPN（FETならNチャネル）、PNP（FETならPチャネル）、あるいは両方の並列となっているものがあり、それぞれ入力電流の向きが異なる。 オペアンプの回路タイプの違いで3種に分か…

点は、常に電流が流れ続けるため電力消費が大きく、発熱量も多いという点である。 エミッタ結合論理と等価な回路をFETで構成したものを ソース結合FET論理（source-coupled FET logic、SCFL）と呼ぶ。 ECLの変種として全ての信号経路やゲート入力が差動形となっているものがあり、DCS…