ノート:Static Random Access Memory

Category:半導体メモリ を用意したのですが、ロックされていて登録も移動できません。Taka - 2005年05月13日。

日本語版と言うことで「スタティックRAM」辺りに名前変更（移動）しても良いかも--白身魚 2006年10月4日 (水) 05:22 (UTC)

記事名について

WP:NC#正式な名称を使うこと「記事名は基本的には日本語での正式名称を使用します」にもとづき、「スタティックランダムアクセスメモリ」に移動しました。なお、WP:MOVE#改名前にすべきことにもとづき、改名提案は省略させていただきました。

上で提案されている「スタティックRAM」も悪くないと思いましたが、改名前の記事名が「Static Random Access Memory」と略さない名称であるのをあえて略語に変更するのは「WP:NC違反での改名」の範囲では難しいと考え、元のままの、略さない記事名にしました。--U3002 2007年12月15日 (土) 01:02 (UTC)

合意無き移動ということで戻しました。理由はノート:Read Only Memory‎で述べた通りです。--fromm 2008年3月26日 (水) 07:37 (UTC)

出典以前の問題の気がする

(1) 設計のところ、高抵抗負荷セル構造を無視しているし、FeRAMなどの不揮発性 SRAM 系のセルはこんな構造ではない。

(2) DRAMのスタティックカラムモードよろしく外部仕様としてアドレス線の変更範囲でアクセスタイムが変わる SRAM は一部、というかあまり記憶にない。バースト読み書きのことを想定しているつもり？

(3) 種類の項は酷い。そもそもLSI内の埋め込みSRAMセルの話を書くべき。不揮発メモリの項も分ける。P-MOS/N-MOS のメモリもある。特徴による分類で書かれているのは種類ではなく特定ベンダの特定製品では。--2400:4051:4CE0:C400:2E4:5CFF:FE68:650 2022年5月18日 (水) 07:27 (UTC)