早藤貴範
早藤 貴範（はやふじ よしのり、1944年4月16日 - ）は、日本の計算科学者、情報科学者。ソニー中央研究所計算物性研究部長、材料解析センター長、関西学院大学理工学部教授などを歴任、同大学名誉教授。
経歴[編集]
兵庫県伊丹市出身。関西学院中学部（1960年卒業）・高等部（1963年卒業）を経て、1967年関西学院大学理学部物理学科卒業。1969年同大学院理学研究科物理学専攻修了。1969年ソニー（株）入社。1971年同社中央研究所。1989年同研究所計算物性研究部統括部長。1993年同社超LSI研究部基盤技術研究部統括部長、1996年同社材料解析センター長。1999年関西学院大学理学部物理学科教授。2002年同大学理工学部情報科学科教授。現在、同大学名誉教授。
著書[編集]
- 「DV-Xa法による電子状態計算―そのプログラムと解説― 」（三共出版、早藤他共編）1996年. ISBN 978-4782703458
- 「現代科学と科学倫理」（関西学院大学出版、松木他 共著）2006年. ISBN 978-4907654979
参考文献[編集]
- 応用物理解説、Si 中の不純物の挙動とゲッタリング、早藤 貴範著、https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.60.782
- 電気化学および工業物理化学、リン拡散シリコンのスクラッチング・ダメージとヌープ硬度、早藤 貴範, 川戸 清爾著、https://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.41.508
- T. Tomita, K. Yamashita, Y. Hayafuji, H. Adachi, The origin of 𝑛-type conductivity in undoped In2O3, Appl. Phys. Lett. 87, 051911 (2005), https://doi.org/10.1063/1.2001741
- T. Kawaguchi, M. Hijikigawa, Y. Hayafuji, M. Ikeda, R. Fukushima, Y.Tomiie, The Crystal Structures of Methyl Bromide and Methyl Iodide, Bull. Chem. Soc. Jpn. 1973, Vol.46, 53-56, https://doi.org/10.1246/bcsj.46.53
外部リンク[編集]
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