II-VI族半導体
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』
II-VI族半導体（にろくぞくはんどうたい）は、II族元素とVI族元素を用いた半導体である。II族元素としてはマグネシウム・亜鉛・カドミウム・水銀が、VI族元素としては酸素・硫黄・セレン・テルルがよく用いられている。
これらを組み合わせて、ZnO(酸化亜鉛)やCdTe(テルル化カドミウム)、ZnSe(セレン化亜鉛)などが作製される。
[編集] 特徴
II-VI族半導体はイオン結晶性が強く、固いがもろいものが多い。 また、組成を変えることでバンドギャップを大きく変化させることができる。可視光や赤外線領域に相当するバンドギャップを持つものは、発光素子や受光素子の材料として用いられている。
