基板工程
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基板工程またはフロントエンド（front-end-of-line、FEOL）とは半導体デバイス製造の最初の部分である。 基板工程では、それぞれのデバイス（トランジスタ、キャパシタ、抵抗など）が半導体にパターンとして形成される[1]。
- 使用するウェハーのタイプを選択する。ウェハーを化学機械研磨、洗浄する。
- 素子分離（LOCOSやシャロートレンチアイソレーション）
- ウェル形成
- ゲート形成(ゲート絶縁膜、金属ゲート電極)
- サイドウォールスペーサー形成
- ソース・ドレイン形成
- キャパシタ形成（DRAM、FeRAMの場合）
関連項目[編集]
引用[編集]
- ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern (2008). Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology (2nd ed.). William Andrew. p. 202. ISBN 978-0-8155-1554-8
参考文献[編集]
- "CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation" Wiley-IEEE, 2010. ISBN 978-0-470-88132-3. pages 177-178 (Chapter 7.2 CMOS Process Integration); pages 180-199 (7.2.1 Frontend-of-the-line integration)