ノート:NMOSロジック
「速度飽和領域」と言うことばについて[編集]
NMOSロジックについて、詳細な解説でとても良いと思いましたが、ひとつ気になる点がありました。それは「速度飽和領域」と言うことばです。
解説文では、
「つまり、遮断領域（cut-off/subthreshold）、線形領域（triode）、飽和領域（saturation/active）、そして速度飽和領域（velocity saturation）である[5][6][7]。」
と書かれており、あたかも飽和領域の次に速度飽和領域があるかのように書かれてますが、MOSFETの動作領域に速度飽和領域という領域はあまり一般的ではないと思います。
ごく一部の資料に、ピンチオフした後のドレイン側領域を速度飽和領域と示した図も見たことがありますが、それは必ずしも正しくないと思います。長チャネルのMOSFETではピンチオフしてもドレイン側の空乏層が臨界電界に達していない場合もあると思います。
逆に短チャネルMOSFETではピンチオフする前でも高電界による移動度の低下は生じているので、速度飽和と言うメカニズムをMOSFETの動作領域に関連付けるのは誤解を招くのではと思った次第です。
いろいろネットで資料を見てみると、MOSFETの飽和領域と言うのは電子が速度飽和を起こすからだと紹介しているような（いいかげんな）記事もありましたので、速度飽和領域という言葉はMOSFETの動作領域の分類からは外しておいた方が良いと思います。
以上です。--Wind-o-Vail（会話） 2023年3月31日 (金) 07:31 (UTC)
- コメントいただきましてありがとうございます。
- その文は、:en:NMOS logic 15:41, 17 February 2023 (UTC)に書かれている
- Like other MOSFETs, nMOS transistors have four modes of operation: cut-off (or subthreshold), triode, saturation (sometimes called active), and velocity saturation.
- を翻訳しただけです。
- そのため、「速度飽和」（velocity saturation）という言葉を使うことが適切かどうかは私は特に考えていませんでした。確かにFETのIV特性図でそのような記述は見たことがないと思います。これは英語版の記述が不適切なのでしょうか。--PV-BC500（会話） 2023年3月31日 (金) 09:42 (UTC)
- ご返事ありがとうございます。
- はい、その英語版の記述は不適切だと思います。
- ピンチオフ点よりドレイン側だけで速度飽和になる訳ではなく、短チャネルでは線形領域でも移動度の低下は起こっているし、どこから完全に速度飽和するかを定義することはほぼ不可能と思います。英語での論文でVSRL(Velocity Saturation Region Length)なる表記も見かけますが、移動度の低下の影響は徐々に大きくなるのでVSRLを定義するのは難しいと思います。--Wind-o-Vail（会話） 2023年3月31日 (金) 15:23 (UTC)