2022年1月25日 (火) 08:26; Anaka Satamiya (会話 | 投稿記録) による版 (出典テンプレートの呼び出しエラーがある記事/accessdateの修正)(日時は個人設定で未設定ならUTC)
電子工学において短チャネル効果は、チャネル長がソースとドレインの接合の空乏層幅に相当するMOSFETで起こる。 短チャネル効果には、ドレイン誘起障壁低下、速度飽和、ホットキャリア劣化などがある[1][2]。