短チャネル効果

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電子工学において短チャネル効果は、チャネル長がソースとドレインの接合の空乏層幅に相当するMOSFETで起こる。 短チャネル効果には、ドレイン誘起障壁低下、速度飽和、ホットキャリア劣化などがある[1][2]。

参考文献[編集]

  1. ^ F. D’Agostino, D. Quercia. “Short-Channel Effects in MOSFETs”. 2008年11月27日閲覧。
  2. ^ Principles of Semiconductor Devices. 7.7. Advanced MOSFET issues

関連項目[編集]

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