MESFET

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MESFET: metal-semiconductor field effect transistor)は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属ゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体[1]で利用され、シリコンMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。

脚注[編集]

  1. ^ ヒ化ガリウム(GaAs)、リン化インジウム(InP)、炭化ケイ素(SiC)等

関連項目[編集]