バルクマイクロマシニング

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バルクマイクロマシニングとは、MEMS(マイクロマシン)作製技術の一つ。 基板もしくは厚膜(数十μm以上)を加工してMEMSデバイスを作製する技術の総称。(参考:サーフェイスマイクロマシニング)

主にSOI(Silicon On Insulator)ウエハや基板そのものを加工してデバイスを作製する。

従来は水酸化カリウム(KOH)や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを用いたウエットエッチングによる加工が主流であったが、ICP-RIEによる深堀りエッチングが可能となり、これが主流となった。 ボッシュプロセスの発明により、シリコン垂直深堀りエッチングが可能となった。

加工技術の種類[編集]

LIGAプロセス [編集]

ウエットエッチング[編集]

異方性(結晶面に依ってエッチング速度が違う事を利用。アルカリ性のエッチング液を使う場合が多い)

等方性

ドライエッチング[編集]

その他[編集]

関連事項[編集]