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原子層エッチング はウエハの最表面原子層にのみ作用する自己制御的化学修飾工程と、化学修飾された部分のみを除去するエッチング工程を交互に繰り返すことによって、原子層単位でのエッチングを行うでは、配列の繰り返し行う半導体製造工程における最新の技術である。シリコンエッチングの標準的な例では、塩素との反応とアルゴンイオンでのエッチングを交互に行う。

これは、反応性イオンエッチングより制御性が高いプロセスであるが、量産化検討に当たっては、スループットの問題がある。精密なガスのハンドリングが必要であり、秒あたりの1原子層のエッチングレートは目下発展中である。^[1]

成膜工程において対応するプロセスとして原子層堆積 (ALD)がある。 ALDは実質的により成熟したプロセスで、2007年からインテルがhigh-k誘電体層成膜に使用しており、フィンランドでは1985年から薄膜電界発光デバイスの製造に用いられている。^[2]

参考文献

^ “Atomic Layer Etch now in Fab Evaluations” (2014年8月4日). Template:Cite webの呼び出しエラー：引数 accessdate は必須です。
^ Puurunen, Riikka L. (2014-12-01). “A Short History of Atomic Layer Deposition: Tuomo Suntola's Atomic Layer Epitaxy” (英語). Chemical Vapor Deposition 20 (10-11-12): 332–344. doi:10.1002/cvde.201402012. ISSN 1521-3862.

外部リンク

[lam-ale-1] “Atomic Layer Etch now in Fab Evaluations” (2014年8月4日). Template:Cite webの呼び出しエラー：引数 accessdate は必須です。

[2] Puurunen, Riikka L. (2014-12-01). “A Short History of Atomic Layer Deposition: Tuomo Suntola's Atomic Layer Epitaxy” (英語). Chemical Vapor Deposition 20 (10-11-12): 332–344. doi:10.1002/cvde.201402012. ISSN 1521-3862.

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