コンテンツにスキップ

ショットキーバリアダイオード

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』

これはこのページの過去の版です。Xqbot (会話 | 投稿記録) による 2011年10月15日 (土) 11:01個人設定で未設定ならUTC)時点の版 (r2.7.2) (ロボットによる 追加: fa:دیود شاتکی)であり、現在の版とは大きく異なる場合があります。

ショットキーバリアダイオード(en:Schottky diode: SBD)は金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードである。

ショットキーバリアダイオードの回路記号

多数キャリアによる動作のためPN接合ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持つ。しかし、逆方向漏れ電流が大きく(20V印加時、25℃で数MΩ、125℃で数KΩ)、逆方向耐電圧が低いという欠点もある。

このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、オーディオ機器の電源回路、スイッチング電源で主に使用されている。

論理回路の高速化では、ロジックを構成するトランジスタの過飽和を防ぐことで高速化をはかる(ショットキークランプ)。よく使われているものに汎用ロジックICの74LSシリーズなど。スイッチング電源では高周波を扱うため、整流用ダイオードのスイッチング特性の良さは電源回路の効率を上げるための重要な要素である。さらに電圧降下の低さは効率を上げるだけでなくダイオードの発熱を抑えることにもつながっている。

関連項目