ノート:磁気抵抗メモリ

項目名変更について(2006年)[編集]

MRAM というのは略称ですから、RAM、DRAM、SRAMなどにあわせて「Magnetoresistive Random Access Memory」もしくは「Magnestic Random Access Memory」への改名を提案します。 --textex 2006年3月7日 (火) 02:52 (UTC)[返信]

（賛成）慣例にしたがって。英語版はw:MRAMですが、冒頭はMagnetoresistive Random Access Memoryになっているので、こちらを推します。--BitBucket 2006年3月9日 (木) 04:53 (UTC)[返信]
- 特に反対もないようなので、移動させます。--textex 2006年3月16日 (木) 13:22 (UTC)[返信]
- 移動、リンク元の修正（日本語、他言語）を完了しました。--textex 2006年3月16日 (木) 13:53 (UTC)[返信]

「磁気抵抗メモリ」という日本語名があり、一般にそれで通じるのでそっちを使った方が良いと思うので、「磁気抵抗メモリ」への改名を提案します。--asuka-ac 2008年9月21日 (木) 00:43 (UTC)[返信]

新しい提案なのでページの下へ移動しました。--Tiyoringo 2008年9月21日 (日) 00:43 (UTC)[返信]

（コメント）一般にはMRAMが用いられるのではないでしょうか。ciniiで論文検索したところ、「磁気抵抗メモリ」のヒット3件に対して、「MRAM」は379件、「Magnetoresistive Random Access Memory」は56件です。後2者には当然英語論文も含まれますが、日本語論文だけを見ても明らかに「磁気抵抗メモリ」よりは多いようです。--Extrahitz 2008年9月21日 (日) 06:19 (UTC)[返信]
- （コメント）日本語の名称がある限り、Wikipedia:記事名の付け方に則り日本語名称を採用すべきと思います。Wikipedia内の例では、絶縁ゲートバイポーラトランジスタは上記の論文検索では「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の検索結果は5件、略称である「IGBT」は839件ですが、日本語の記事名になっています。こちらの記事も、「磁気抵抗メモリ」を正式の記事名とし、MRAMはリダイレクトとするほうが良いと思います。--Yanahan 2008年10月4日 (土) 03:04 (UTC)[返信]
  - 改名しました。--Yanahan 2008年10月12日 (日) 14:51 (UTC)[返信]