ファイル:Retention and endurance characteristics.png
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概要
| 解説 |
English: a) Retention data for a 20 µm gate-length cell. b) S-D current difference (∆IS-D) for the >24 h retention plotted on a log scale. c) Endurance data for continuous program-read-erase-read cycling (5 ms pulses) on a second 20 µm gate-length cell
d) Extended endurance to >107 cycles. e) Oscilloscope trace |
| 日付 | |
| 原典 | ULTRARAM: A Low-Energy, High-Endurance, Compound-Semiconductor Memory on Silicon |
| 作者 | Peter D. Hodgson,Dominic Lane,Peter J. Carrington,Evangelia Delli,Richard Beanland,Manus Hayne |
ライセンス
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| 日付と時刻 | サムネイル | 寸法 | 利用者 | コメント | |
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| 現在の版 | 2022年4月8日 (金) 07:56 | | 653 × 623 (214キロバイト) | Avast rumali | Uploaded while editing "User:Avast_rumali/sandbox" on en.wikipedia.org |
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