ファイル:HEMT-band structure scheme-en.svg

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元のファイル(SVG ファイル、480 × 370 ピクセル、ファイルサイズ: 19キロバイト)

解説
English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode
Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
日付 (UTC)
原典
作者
w:ja:クリエイティブ・コモンズ
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26 8 2009

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2016年1月19日 (火) 17:112016年1月19日 (火) 17:11時点における版のサムネイル480 × 370 (17キロバイト)Heronspelling correction: two dimentional --> two-dimensional
2009年8月26日 (水) 23:442009年8月26日 (水) 23:44時点における版のサムネイル480 × 370 (42キロバイト)Sfucorrect
2009年8月26日 (水) 23:372009年8月26日 (水) 23:37時点における版のサムネイル480 × 370 (42キロバイト)Sfu{{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"

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