HMOS

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HMOS(えいちもす)は、ディプリーション負荷NMOS論理方式(depletion-load NMOS logic)の一種で、「High density, short channel MOS」あるいは「High-performance n-channel MOS」の略としてIntelが自社の方式の名称として使ったものである。Intelの8085の頃から後のいくつかの石と、Motorolaにもライセンスされ68000などにも使われた。その後、CMOSが一般的になると、急速にそちらに置き換わった。

ディプリーション負荷NMOS論理方式[編集]

電源側とグランド側の両方に対称にスイッチング素子があるCMOS型は単電源で扱いやすいが、1970年代前半の半導体素子テクノロジであった単純なNMOSでは、片側だけであるため、複数電源を必要とするか、何らかの工夫が必要となっていた。1970年代後半に、集積回路中の狙ったMOSFETだけを、エンハンスメントモード動作のノーマリーオフ素子からディプリーションモード動作のノーマリーオン素子にすることができる技術が開発・実用化されたため、それを利用して、NMOSながら、扱いやすい単電源の集積回路が作れるようになった。それがディプリーション負荷NMOS論理方式である。Z80のオリジナルなどがこの方式であった。