電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ
電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ（でんしちゅうにゅうそくしんがたぜつえんゲートトランジスタ、英: injection enhanced gate transistor、IEGT）は半導体素子のひとつで、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造を改良したパワーデバイスである。[1]
脚注
[編集]関連項目
[編集]- ゲートターンオフサイリスタ (Gate Turn Off Thyristor, GTO)
- サイラトロン
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
外部リンク
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