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「イオン注入」の版間の差分

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== 半導体の製造 ==
=== ドーパント注入 ===
イオン注入が最も一般的に用いられるのは、半導体中への[[ドーパント]]注入である。半導体がシリコンの場合、普通[[ボロン]]、[[リン]]、[[砒素]]など純度の高いドーパント原子であり、ドーパント原子のボロンは[[三フッ化ホウ素]](BF<sub>3</sub>)ガス、リンは[[ホスフィン]](PH<sub>3</sub>)ガス、砒素は[[アルシン]](AsH<sub>3</sub>)ガスが一般的に使われ、数KeVからMeV級のエネルギーで加速する。これらは腐食性や発火性、致死性が高いなど危険なガスである。ドーパントが注入されることにより、半導体中にキャリアとして[[電子]]または[[正孔]]をつくり、半導体の伝導性を変化させる。打ち込まれたばかりのイオンは半導体原子の結晶に並ばないため不活性であり、結晶格子も[[格子欠陥]]が生じるため修復する必要がある。このため注入後は加熱によって結晶格子を整えるためにアニール処理を行なう。半導体のプロセス中のトランジスタ形成などの浅い打ち込み後には、熱[[拡散]]させないように熱線の照射による短時間加熱を行なうラピッド・サーマル・アニール(Rapid thermal anneal, RTA)処理が行なわれる<ref>半導体LSIができるまで編集委員会編著 『半導体LSIができるまで』 日刊工業新聞社 2001年12月5日初版1刷発行 ISBN 4526053759</ref>。
 
=== Co-Implantation ===
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