三村高志

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三村 高志(みむら たかし、1944年12月14日 - )は日本の工学者工学博士富士通研究所フェロー。独立行政法人情報通信研究機構客員研究員。超高速半導体素子、HEMTの発明者。大阪府出身。

高電子移動度トランジスタ HEMTについて[編集]

HEMTは、高速・低雑音性の極めて高いトランジスタである。HEMTは現在、衛星放送受信機や携帯電話機、カーナビゲーション受信機、自動車レーダーなどに使われており、IT社会を支える基盤技術として幅広く使われる技術となっている。また、電波望遠鏡用の低雑音受信機として、未知の星間分子を発見するのに役立ち、天文学の研究を進歩させたり、半導体の薄膜成長技術の進展を加速させ、その後の、化合物半導体を用いた電子デバイス、光デバイス技術の発展に役立つなど、産業界だけでなく、学問・技術研究の分野にも大きな貢献を果たしている。また、アメリカのクリントン政権 が2000 年 1 月に発表した National Nanotechnology Initiative においては、ナノテクノロジーの成功例の一つに HEMT があげられている。[1]

略歴[編集]

  • 1967年 関西学院大学理学部物理学科卒業
  • 1970年 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系修士課程修了、富士通株式会社入社
  • 1975年 富士通研究所
  • 1982年 大阪大学より工学博士学位授与
  • 1998年 富士通研究所フェロー
  • 2006年 独立行政法人情報通信研究機構客員研究員

表彰[編集]

  • 1981年 科学技術庁長官賞
  • 1982年 電子情報通信学会業績賞
  • 1986年 伴記念賞
  • 1990年 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award
  • 1992年 発明協会恩賜発明賞
  • 1993年 IEEEフェロー
  • 1998年 紫綬褒章、SSDM Award、ISCS Heinrich Welker Award
  • 2001年 電子情報通信学会フェロー
  • 2004年 応用物理学会業績賞
  • 2007年 応用物理学会フェロー
  • 2017年 京都賞先端技術部門

脚注[編集]

参考文献[編集]

外部リンク[編集]