ドライエッチング

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ドライエッチング英語:dry etching)は、反応性の気体エッチングガス)やイオンラジカルによって材料をエッチングする方法である。主に化学的な反応によるエッチングを指し、反応による生成物は気体である場合が多い。これに対して液体によるエッチングをウエットエッチングと呼ぶ。イオンミリングなどのようにイオンを衝突させてエッチングする方法など化学的な反応を伴わないものは物理エッチングと呼ぶ場合もある。実際には化学的な反応と物理的なものが同時に起こっている。

反応ガス中に材料を曝す方法(反応性ガスエッチング)とプラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチング

シリコンをエッチングする場合は、フッ素系のガスを用いる場合が多い。この場合にできる生成物は四フッ化ケイ素 (SiF4) である。

特徴[編集]

  • 後工程として洗浄を必要としない
  • 装置が高価
  • フォトレジストとの選択性が高い
  • 微細加工が可能

種類[編集]

  • 反応性ガスエッチング
  • 反応性イオンエッチング
  • 反応性イオンビームエッチング
  • イオンビームエッチング
  • 反応性レーザービームエッチング

主なエッチングガス[編集]

反応性イオンエッチングに使われるもの

反応性ガスエッチングに使われるもの

  • 二フッ化キセノン (XeF2)

関連項目[編集]