ショットキー欠陥

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NaCl構造内のショットキー欠陥

ショットキー欠陥(ショットキーけっかん、英語: schottky defect[1])とは、結晶中において、格子点イオンが結晶の外に出た後に空孔が残った欠陥のこと。アルカリハライド結晶NaClRbICsI など)にて観察される。ショットキー欠陥の生成により、密度が変化するが、電気伝導性は増加しない。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。

ショットキー欠陥の欠陥密度の式表現は、熱力学で知られているボルツマン分布や、より正確には統計力学のフェルミ・ディラック分布で表現される。 具体的に、ボルツマン分布で近似した場合、ショットキー欠陥の密度式は、以下のような式になる。

C=A \exp(\frac{-E_f}{kT})

ただし

C:欠陥密度

A:比例定数

E_f:空孔の形成に必要なエネルギー。(一般に、物質の融点が低いほど、空孔形成エネルギーは小さい。)

k:ボルツマン係数

T:絶対温度。(ケルビン単位。)

である。

脚注[編集]

  1. ^ 文部省日本物理学会編 『学術用語集 物理学編』 培風館1990年ISBN 4-563-02195-4

関連項目[編集]