PRAM

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PRAM (Phase change RAM)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性の半導体メモリ相変化メモリーPCM(Phase Change Memory)とも呼ばれる。

結晶相は低抵抗アモルファス相は高抵抗である事を1ビットとして利用する。

DRAMの従来の半導体製造プロセスを使い、キャパシタ部分を相変化膜に置き換えるため、技術的に共通点が多く、既存設備を流用しやすい。

書き込みは素子への熱変化により行う。