相変化メモリ

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相変化メモリ(そうへんかめもり・: Phase Change Random Access Memory)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性の不揮発性メモリであり、PCRAMPRAMPCMとも呼ばれる。

DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化に置き換えだけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。

結晶相は低抵抗アモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への変化により行う。

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注釈・出典[編集]