IGZO

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
移動: 案内検索

IGZO(イグゾー)は、インジウム (Indium) 、ガリウム (Gallium) 、亜鉛 (Zinc) 、酸素 (Oxide) から構成されるアモルファス半導体の略称で、これを利用する液晶ディスプレイ形式の呼称でもある。

特徴[編集]

アモルファスシリコンを用いるTFT形式液晶が静止画表示時も定期的リフレッシュを要し電力を消費するのに対し、IGZOはリーク電流が少なく、リフレッシュ回数低減により静止画表示時の電力消費を抑制して消費電力低減が可能である。電子移動度はアモルファスシリコン比20~50倍であり、TFT回路小型化による高開口率化や高精細化[1]が期待される。

特許権・商標権[編集]

IGZOの東工大での開発はJSTの支援事業で行われたため、IGZOの特許権や関連特許はJSTが所有している。

沿革[編集]

  • 1985年 - 科学技術庁無機材質研究所の君塚昇が結晶IGZOの合成に初めて成功[2]。君塚は1967年科学技術庁無機材質研究所入所し、世界で初めて結晶IGZOの合成を行った後、約10年、ホモロガス構造のIGZO等の開発に従事した。
  • 1995年 - 東京工業大学細野秀雄が「透明アモルファス酸化物半導体」の一種[1]として設計指針を提唱。
  • 2004年 - 細野がリーダーを務める研究グループが、科学技術振興機構(以下JST)の創造科学技術推進事業 (ERATO) および戦略的創造研究推進事業 発展研究 (SORST) [1]で開発。
  • 2011年7月20日 - 韓国サムスン電子[1]へライセンス供与を開始した。
    • 発表直後から「日本の研究成果をライバルの韓国企業に売るとは何事か」といった批判が多数届いたとされる。実際には、特許権を有するJSTはサムスン電子と話をする前に、多くの日本メーカーには声を掛けている。ところが、どの企業も「これまで実績のある材料で十分」などの理由でライセンス契約に至らず、断られている[3]
  • 2012年1月20日 - シャープ[4]へライセンス供与を開始。
  • 同年、シャープが商標権を取得[5]
  • 2014年 - シャープが中国の北京小米科技へ大量供給することが報道された[7]

脚注[編集]

外部リンク[編集]