IGZO

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IGZO(イグゾー)は、インジウム (Indium) 、ガリウム (Gallium) 、亜鉛 (Zinc) 、酸素 (Oxide) から構成されるアモルファス半導体の略称で、これを利用する液晶ディスプレイ形式の呼称でもある。

特徴[編集]

アモルファスシリコンを用いるTFT形式液晶が静止画表示時も定期的リフレッシュを要し電力を消費するのに対し、IGZOはリーク電流が少なく、リフレッシュ回数低減により静止画表示時の電力消費を抑制して消費電力低減が可能である。電子移動度はアモルファスシリコン比20~50倍であり、TFT回路小型化による高開口率化や高精細化[1]が期待される。

知的財産権[編集]

特許権[編集]

IGZOの東工大での開発は科学技術振興機構(以下JST)の支援事業で行われたため、IGZOの特許権や関連特許はJSTが所有している。

商標権[編集]

商標については、シャープが2011年11月に「IGZO」の文字商標の登録を受けていた(商標登録第5451821号)。しかし、JSTは、ある研究者が学会で「IGZO」という言葉を使用する際にシャープから申請を求められたことから、学会の活動に支障が及ぶ可能性があるとして、2013年7月に特許庁に商標登録の無効を求める審判を請求[2]。特許庁は2014年3月に商標登録を無効とする審決を出した。シャープはこの審決を不服とし、知財高裁に無効審決の取り消しを求める訴訟を提起したが、知財高裁は2015年2月25日の判決で特許庁の審決を支持しシャープの請求を棄却[3][4]3月11日、シャープは上告を断念したことを公表した。

なお、シャープはカタカナの「イグゾー」の商標、及び、「IGZO」をロゴ化した商標(商標登録第5563245号、商標登録第5654941号)も商標登録している。これらの商標は訴訟の対象に含まれておらず、権利が存続している[4][5]

沿革[編集]

  • 1985年 - 科学技術庁無機材質研究所(独立行政法人物質・材料研究機構の前身)の君塚昇が結晶IGZOの合成に初めて成功[6]。君塚は1967年に科学技術庁無機材質研究所入所し、世界で初めて結晶IGZOの合成を行った後、約10年間、ホモロガス構造のIGZO等の開発に従事した。
  • 1995年 - 東京工業大学細野秀雄が「透明アモルファス酸化物半導体」の一種[1]として設計指針を提唱。
  • 2004年 - 細野がリーダーを務める研究グループが、JSTの創造科学技術推進事業 (ERATO) および戦略的創造研究推進事業 発展研究 (SORST) [1]で開発。
  • 2011年7月20日 - 韓国サムスン電子[1]へライセンス供与を開始した。
    • 発表直後から「日本の研究成果をライバルの韓国企業に売るとは何事か」といった批判が多数届いたとされる。実際には、特許権を有するJSTはサムスン電子と話をする前に、多くの日本メーカーには声を掛けている。この日本メーカーへの提案に対し、どの日本企業も「これまで実績のある材料で十分」などの理由でライセンス契約に至らず、断られている[7]
  • 2012年1月20日 - シャープ[8]へライセンス供与を開始。
  • 同年、シャープが商標権を取得[9]
  • 2014年 - シャープが中国の北京小米科技へ大量供給することが報道された[11]
  • 2015年2月25日 - 知財高裁は、シャープが「IGZO」の商標登録を特許庁が無効としたことを不服とし、無効の取り消しを求めた訴訟で、独占使用を認めないと判決。3月11日、シャープは上告を断念した[5]

脚注[編集]

  1. ^ a b c d 高性能の薄膜トランジスターに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結 日本の基礎研究の成果が世界のディスプレイ業界へ大きく展開”. 東京工業大学 (2011年7月). 2013年1月11日閲覧。
  2. ^ 「サーチライト 「IGZO」巡り学会とあつれき シャープ、知財重視裏目に」 日経産業新聞、2015年3月4日第10面
  3. ^ “液晶IGZOの商標「無効」、シャープ側敗訴 知財高裁”. 日本経済新聞. (2015年2月25日). http://www.nikkei.com/article/DGXLASDG25H3P_V20C15A2000000/ 2015年3月19日閲覧。 
  4. ^ a b 訴訟の判決に関するお知らせ (PDF) シャープ株式会社、2015年2月25日
  5. ^ a b “「IGZO」商標訴訟、シャープが上告断念”. 朝日新聞. (2015年3月11日). http://www.asahi.com/articles/ASH3C5TBHH3CUTIL043.html 2015年3月19日閲覧。 
  6. ^ N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
  7. ^ 日経BP社 日経エレクトロニクス 2013 9-30 no.1118 37ページ
  8. ^ 高性能の薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を日本のメーカーと締結”. 科学技術振興機構 (2012年1月20日). 2014年1月28日閲覧。
    JSTとシャープが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結”. 科学技術振興機構 (2012年5月29日). 2013年1月11日閲覧。
  9. ^ シャープに迫るサムスンの脅威 「IGZO」優位性は1、2年で崩れる? (2/4ページ)”. SankeiBiz (2012年12月8日). 2013年1月11日閲覧。
  10. ^ 新型液晶を富士通、ソニーに供給 シャープ - 47news 2012年12月22日
  11. ^ “シャープ、中国メーカーにIGZO大量供給 12月四半期決算、3年ぶり黒字確保へ”. 夕刊フジ. (2014年1月29日). http://www.zakzak.co.jp/economy/ecn-news/news/20140129/ecn1401291659014-n1.htm 2014年1月29日閲覧。 

外部リンク[編集]