空乏層

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空乏層(くうぼうそう、depletion layer)とは、半導体PN接合などでみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。

概要[編集]

半導体PN接合部分やショットキー接合MOS接合において見られる、電子正孔(キャリア)のほとんど存在しない領域。多数キャリアを欠くことで帯電し、電気二重層と内蔵電場を形成する。キャリアの移動に対しては1種の障壁として作用する。 空乏層の幅は印加電圧によって変化する。正方向に電圧をかけることによって縮小または解消する。逆方向に電圧をかけた場合には、その範囲が広がり、電子の移動を妨げる。 厚みが1nm前後またはそれ以下になるとトンネル効果を示す。ダイオードトランジスタなど各種の半導体素子で利用される。

関連項目[編集]