メモリスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
移動: 案内検索

メモリスタ (またはメモリスター[1]: memristor) は、通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。

17本のメモリスタを備えた回路の写真。原子間力顕微鏡で撮影した。それぞれのメモリスタは二酸化チタンからなる2層の薄膜を接続線でつなぐことにより形成されている。このうち1層に電流を通すと、もう1層の抵抗値が変化する。これによって信号を記録できる。

抵抗器キャパシタインダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。

過去に流れた電流記憶する抵抗器であることからメモリスタ (memristor) と名づけられた。

歴史[編集]

メモリスタの存在は1971年にLeon Chuaの論文で指摘されていたが、対応する物理現象が発見されず、メモリスタは長い間実現されることはなかった。しかし、2008年に米ヒューレット・パッカード (HP) 研究所により二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタが開発され、第4の回路素子として注目を集めることとなった。

記憶素子としてはフラッシュメモリより高速・低消費電力であり、DRAMより安価で省電力であるという性質を持っていると言われ、両方を置き換える可能性がある。面積あたりの記憶容量もフラッシュメモリと比べて2倍にでき、また放射線による影響も受けないというメリットがある。

2010年4月には、メモリスタが論理演算装置としても使用できることを確認したとHPが発表。演算装置と記憶素子を単一のデバイスに統合できるため、より小型でエネルギー効率の良いデバイスを開発できる可能性が示された。

HPは2020年までの完全な形での商品化を目指している。

物理におけるメモリスタ[編集]

メモリスタは、通過した電荷と端子間の磁束が関数関係であるような素子と定義される。

関連項目[編集]

外部リンク[編集]

脚注・引用[編集]

  1. ^ 2013年9月のgoogle検索結果では「メモリスタ」が3,620件、「メモリスター」が362万件であるので、改名を提案します。