メモリスタ
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メモリスタ (英: memristor) は、通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。
抵抗器、キャパシタ、インダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。
過去に流れた電流を記憶する抵抗器であることからメモリスタ (memristor) と名づけられた。
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歴史[編集]
メモリスタの存在は1971年にLeon Chuaの論文で指摘されていたが、対応する物理現象が発見されず、メモリスタは長い間実現されることはなかった。しかし、2008年に米ヒューレット・パッカード (HP) 研究所により二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタが開発され、第4の回路素子として注目を集めることとなった。
記憶素子としてはフラッシュメモリより高速・低消費電力であり、面積あたりの記憶容量もフラッシュメモリと比べて2倍にでき、また放射線による影響も受けないというメリットがある。
2010年4月には、メモリスタが論理演算装置としても使用できることを確認したとHPが発表。演算装置と記憶素子を単一のデバイスに統合できるため、より小型でエネルギー効率の良いデバイスを開発できる可能性が示された。
物理におけるメモリスタ[編集]
メモリスタは、通過した電荷と端子間の磁束が関数関係であるような素子と定義される。
関連項目[編集]
外部リンク[編集]
- 抵抗、コンデンサ、インダクタに次ぐ「第4の受動素子」をHP社が実現 2008年5月2日 EE Times Japan
- HPが新発見――「memristor」で演算機能とメモリ機能を統合 2010年4月9日 RBB TODAY
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