ダングリングボンド

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
移動: 案内検索

ダングリングボンド: dangling bond)は、原子における未結合手のこと。半導体結晶に於いては、結晶の表面や欠陥付近では原子共有結合の相手を失って、結合に関与しない電子(不対電子)で占められた結合手が存在する。この手をダングリングボンドと呼ぶ。

ダングリングボンド上の電子は不安定なため化学的に活性となり、特に結晶表面の物性には重要な役割を果たす。

例えば、シリコン(ダイヤモンド構造)の(001)理想表面の表面第一層のシリコン原子は2個のダングリングボンドを持ち、そのままでは非常に不安定になっている。実際のシリコン表面はダングリングボンドを減らすためにダイマー化した構造を形成する(→表面再構成)。このようにダングリングボンドが存在する表面では、ダングリングボンドを減らす(なくす)ために再構成(リコンストラクション)などの構造の変化が起こる。

関連項目[編集]