ケイ酸ハフニウム(IV)

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ケイ酸ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) silicate、HfSiO4)は、ハフニウムケイ酸塩である。

ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法(主にMOCVD)によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体(high-k dielectric)として使うことができる。

関連項目[編集]